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专利详细内容
基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料及其制备方法
  • 法律状态:授权
  • 申 请 号:200910054914.5
  • 申 请 日:2009/7/16
  • 公 开 号:CN101603187
  • 公 开 日:2009.12.16
  • 权 利 人:上海交通大学
  • IPC分类:化学;冶金
  • 专利类型:发明

    一种纳米材料技术领域的基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料及其制备方法,包括:纳米针阵列和疏水薄膜,其中:疏水薄膜附着于纳米针阵列的表面,所述的纳米针阵列包括若干垂直于金属基材纵向生长排列紧密的纳米针。本发明制备所得的高疏水性材料经疏水实验表明接触角比普通疏水材料高50%。